Figure 17.1. Une diode a la propriété de laisser passer le courant dans un sens (diode passante) et de l'arrêter dans l'autre sens (diode bloquée). La diode se compose d’une jonction PN, Positif Négatif (figure 1) généralement en germanium ou en silicium. Détermination d'un moment d'inertie. 3. Au voisinage de la jonction , les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). •on définira les trois composantes du courants: • courant de diffusion de trous, i p,dif • courant de diffusion d’électrons, i n,dif. jonction sur le Wiktionnaire Le mot jonction est employé dans plusieurs domaines : Jonction P - N Jonction tunnel Jonctions intercellulaires Jonction communicante Les jonctions communicantes, aussi appelées jonctions gap ou macula communicans ou nexus ou jonctions lacunaires ou encore jonctions perméables, sont des Les jonctions serrées ou étanches ou … La diode la pl us classique est la "diode à jonction PN", qui sera l'objet des sections 5.2 à 5.6. Tracé d'une courbe de résonance. l'interpénétration partielle, généralement par fusion entre surfaces, d'un semi-conducteur de type P avec un semi-conducteur de type N. Pour commencer,disons très schématiquement que la théorie des semiconducteurs et l'expérience prouvent. Symbole électrique : 1N4004 Zener Schottky DEL 2. de!fonctionnement). La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I (V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode . Figure III.5: Équilibre au niveau de la jonction PN sans champ électrique extérieur. La caractéristique courant-tension d une jonction N-P obéit à une équation de la forme [7] : où JoR et nR représentent respectivement les courants Fonctionnement – Caractéristiques 3.1. Fonctionnement La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de fonctionnement : • Diode à l’état : Passant. publicité. Si on injecte un courant Ib au transistor et que l'on relève le courant Ic en faisant varier Vce, on observe la caractéristique de la figure suivante. Jonction PN non polarisée : Au voisinage de la jonction, les électrons libres (porteurs majoritaires) de la zone N franchissent la jonction et diffusent vers les trous (porteurs majoritaires) de la zone P laissant en place des ions fixes (positif côté N, négatif côté P). 2°) LA PENTE DE LA TENSION : La jonction PN présente une certaine CAPACIT ... En réalité le phénomène est plus complexe, car pour une étude détaillée et par ailleurs hypothétique, il conviendrait de considérer la zone de conduction N3 P2 N1 P1, d'où il ressort que dans le quatrième quadrant, la sensibilité au déclenchement est plus réduite que dans les autres cas. Une étude approximative semble montrer que la diode se comporte comme un fil de résistance négligeable quand elle est passante et comme un interrupteur ouvert quand elle est bloquée. Conçue au crayon et au papier à la fin du XIXè siècle, l’existence de l’électrona été prouvée expérimentalement 20 ans plus tard par Joseph J. Thomson en 1897. L’étude développée dans le présent chapitre s’articule autour des axes suivants : • A partir des mesures expérimentales, une caractérisation des principaux paramètres de la jonction pn d’une diode transil commerciale (BZW06P37, ST Microelectronics) est menée. Au LNE-INM une étude préliminaire a permis de mettre en place des moyens de mesure pour déterminer les caractéristiques intrinsèques des LED et mesurer leur intensité lumineuse. L'ensemble est enfermé dans un boîtier; pour les faibles puissances, celui-ci se réduit à un enrobage de résine. Figure III.4 : caractéristique I-V sous éclairement . En règle générale, la caractéristique Classique est la plus souvent utilisée pour effectuer des calculs. Cette caractéristique de sortie peut être une variation de résistance, de courant, de tension. De la jonction pn •soit une jpn polarisée à une tension ct. v a, traversé par un courant i a. Jeu de diodes : DEL, diodes Zéner, diodes de redressement. matériaux de photodiodes, on utilise des matériaux susceptibles de former une jonction pn, comme Si, Ge, AsGa ou AsGaIn. La dimension du collecteur favorise la collecte des électrons (d'où un meilleur rendement). Dans le premier chapitre, on va présenter des généralités sur les cellules photovoltaïques, le principe de fonctionnement, les caractéristiques électriques d'une cellule et Dans ce contexte, nous avons proposé ce projet de fin d'étude visant l’optimisation des performances des cellules PV à base d’hétérojonction de Si. Figure I.8: Association de n s cellules PV en série 13. La diode est le semi-conducteur élémentaire constitué par une seule jonction PN. La surface de séparation des régions de type P et N s’appelle une jonction PN. production des cellules solaires à base de silicium reste coûteuse et nécessite une impor-tante quantité de matériau. 5. Attention : polarisée en inverse, les DEL ne supportent pas plus de +5V !!! •la determination de la caractéristique statique reviens a déterminer la fonction : i a =i a (v a). La cellule est constituée d'une jonction PN. C.à.d. Figure I.6: Caractéristiques électriques courant-tension, puissance-tension d'une cellule 10. Figure I.7: Présentation d'une cellule, d'un panneau et d'un champ photovoltaïque 12. Chapitre 2 : Jonction PN et diodes. Symbole électrique de la diode : Photo d’une diode type 1N4007 : L’objectif de ce TP est de réaliser par différentes méthodes caractéristique I(V) d’une diode La caractérisation d’un composant électronique commence toujours par une étude statique (ou point de fonctionnement). Dans un premier temps (sections 5.2 à 5.5), nous envisagerons une diode à jonction PN idéalisée. En pratique, pour \(V_{ce}\) > 1 V, la caractéristique d’entrée dépend peu de \(V_{ce}\). La Diode Electro-Luminescente : DEL ( ou LED . L'ensemble est enfermé dans un boîtier; pour les faibles puissances, celui-ci se réduit à un enrobage de résine. Les diodes zéner sont caractérisées par leur tension de claquage et par la puissance maximale qu'elles peuvent dissiper. Application des diodes en régime de commutation - Conversion du courant alternatif en continu – Le redressement simple et double alternance. On regroupe les caractéristiques statiques du transistor en réseaux de courbes sur quatre quadrants, dont la figure 15 donne un exemple. Le profil de dopage est la principale variable sur laquelle on peut jouer pour créer des jonctions différentes. L’étude expérimentale du panneau photovoltaïque hybride a été faite, les différentes caractéristiques. ), résulte une barrière de potentiel de hauteur \(V_0\) qui fait apparaître une dissymétrie électrique dans la jonction PN et permet d’expliquer la forme de la caractéristique (courant, tension) d’une jonction. Transcription . Figure I.1 : Schéma de principe de … Dans ce contexte, nous avons proposé ce projet de fin d'étude visant l’optimisation des performances des cellules PV à base d’hétérojonction de Si. Sous l’action d’un rayonnement solaire, les atomes de la jonction libèrent des charges électriques de signes opposés qui s’accumulent de part et d‘autre de la jonction pour former un générateur électrique. Équilibre au niveau de la jonction. Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude. Des collecteurs récupère les porteurs de charge. EXERCICE N°1 Soit le schéma ci-contre. Conducteur ohmique ..... 166 3. Introduction à la physique du solide et aux matériaux semiconducteurs, permettant de comprendre les mécanismes physiques en jeux dans les composants électroniques. La caractéristique de transfert est définie par la relation I C = f (I B) @ V CE = cte. Représentation cathode anode VD ID P N anneau de repérage ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. ces jonctions pn dans les dispositifs photovoltaïques seront ensuite données ; sur le silicium, bien sûr... , en plus de la jonction pn, une cellule photovoltaïque. Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique Eint créé par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Un MOSFET de puissance est formé d'un grand nombre de cellules élémentaires mises en parallèle. Figure I.9: Caractéristique d'un regroupement en série de … Cette représentation est relative à l’atome de Silicium. Bobine parfaite ... la partie P et la partie N constitue une jonction appe-lée jonction PN. Elle est constituée d’une jonction PN (voir l’analyse documentaire sur les SC dans la suite de l’année) ; c’est donc un dipôle dissymétrique : 7. La diode est un dipôle passif non linéaire, mais de caractéristique linéarisable par morceaux. Dans l'étude des convertisseurs, on substitue à la caractéristique réelle la caractéristique idéale en négligeant la chute de tension et le courant de fuite circulant en inverse. Définition de la jonction PN II. Nous nous limiterons donc uniquement à l'étude de cette structure. Figure 4 . interne de la diode. Ce dopage change de type de part et d'autre de la jonction, passant d'un dopage de type p à un dopage de type n.En pratique, il est difficile de faire passer abruptement la densité de dopants (par exemple des donneurs) d'une valeur constante à 0. Méthodes d ’études La diode à jonction • Poser une hypothèse sur l’état des diodes. > 0 est appelé ( courant inverse de saturation >. Par conséquent, le besoin grandis- Revenons sur Terre! Cette barrière, appelée zone de déplétion, est formée par recombinaison du surplus de trous et d’électrons des zones p et n remise en contact. Le schéma suivant représente les niveaux d’énergie au voisinage de la jonction : Elle est couverte d'une plaque qui joue le rôle de cathode. 6. Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. En outre, les cellules en silicium présentent actuellement en laboratoire, un rendement maximal de 25,6% [3], ce qui est très proche de la limite théo-rique maximale pour une cellule simple jonction [4]. Les diodes à jonction PN. Réseau de caractéristiques Ic = f (Vce) : On remarque que : - lorsque Ib = 0, … E g appelées cellules thermo-photovoltaïques. III.1 – Caractéristiques On utilise la zone de claquage inverse de la jonction PN. 2) Caractéristique d'une diode à jonction PN Une diode a la propriété de laisser passer le … Interprétation et exploitation. Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC Samia Rachedi, Keireddine Ghaffour To cite this version: Samia Rachedi, Keireddine Ghaffour. La diode à jonction PN. Figure I.1 : Schéma de principe de … Modélisation d’une diode – Linéarisation par morceaux. la diode de puissance Principe de la diode Du point de vue de l’électronique de puissance, la diode est un interrupteur non commandable. Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base (formule [1]). II. En pratique, pour Vce > 1 V, la caractéristique d’entrée dépend peu de Vce. Ce claquage est réversible ou irréversible selon le type de transistor utilisé. Ces moyens ont été utilisés pour caractériser une « LED blanche ». \(V_{be}\) est en module trop grande, il y a claquage de la jonction émetteur-base. De ces translations, nécessaires à l’égalisation des niveaux de Fermi (cf. 1. Baddiar Hanane Devant le jury composé de : Président : Mr. Damou Encadreur : Mlle. Caractéristique Courant / Tension de la diode – Formule de Shockley. Figure 2.1 : Exemples d'applications de cellules photovoltaïques à base de plusieurs technologies 23 . Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une jonction de diode. !Dans!le!cas!d’undipôle!il!n’y!a!qu’une!seule!«!entrée/sortie!»,!dans!ce!cas!il!n’y!a! Une manière plus simple et imagée pour comprendre le fonctionnement d'une diode est de réaliser une analogie avec l'hydrodynamique. Expériences sur les oscillations forcées et la résonance en mécanique. La figure suivante présente la courbe caractéristique d'une diode Zener. Étude expérimentale d'un pendule de torsion : mesures statique et dynamique d'une constante de torsion. Cette d.d.p. Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. La fonction Ic = f(Ib) caractérise " l'effet transistor " en régime linéaire. On distingue deux types L’étude de l’influence des paramètres technologiques sur la caractéristique I V d’une photodiode PIN en Si Présentée et soutenue le 22 06 2016 par : Mme. Nous nous concentrerons sur un composant fabriqué à partir de matériaux semi-‐conducteurs : la diode (ou jonction pn) et qui intervient dans un grand nombre de circuits électroniques et qui a un comportement fortement non linéaire. Serait-ce se demander aujourd’hui quelle application donner aux ondes gravitationnelles prédites par Einstein en 1916 et observées pour la première fois en 2016? 7. interne de la diode. 2- Caractéristiques électriques d'un transistor NPN ... (Ib) est celle d'une jonction PN entre la base et l'émetteur. dégradation des caractéristiques de la diode irradiée, principalement aux faibles tensions de polarisation directe et en polarisation inverse. Ce dopage change de type de part et d'autre de la jonction, passant d'un dopage de type p à un dopage de type n. En pratique, il est difficile de faire passer abruptement la densité de dopants (par e… Les caractéristiques Ib=f(Vbe) sont pratiquement celles d’une diode à jonction PN. en polarisation directe (0,5 à 0,8 V pour Si) ; c’est la cellule photovoltaïque à jonction PN. Le fonctionnement d'une diode n'est pas simple à appréhender lorsqu'on n'a pas fait d'études à caractère scientifique. 6 . Figure III.3: cas d’une jonction PN avec une résistance série (a), et résistance shunt et série . La diode PN : caractéristique Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les électrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dopé P (les trous sont majoritaires). Le profil de dopage est la principale variable sur laquelle on peut jouer pour créer des jonctions différentes. Rappel théorique : Une diode est un dipôle non linéaire et non symétrique réalisée à base de semi-conducteur par la juxtaposition de deux zones dopées avec des porteurs de signes opposés (PN), on parle alors d’une Jonction. 3. Si le courant inverse excède cette limite, la diode sera endommagée. EFFET PHOTOVOLTAIQUE (4) Production paire électron-trou Effet de jonction pn et apparition d’une f.e.m. Elle est couverte d'une plaque qui joue le rôle de cathode. • Polarisation dans le sens direct - du générateur est relié à la zone N et le + à la zone P Le champ électrique extérieur s’oppose au champ interne si , un courant important peut traverser la jonction. P N La relation entre le courant IDet la tension VDthéorique de la jonction polarisée est : \u000e\u000f\u0010 \u000e\u0012\u0013 Sur la figure 7-c, nous voyons que le courant collecteur est composé de la façon suivante : une grande partie du … Les caractéristiques \(I_b=f(V_{be})\) sont pratiquement celles d’une diode à jonction PN. - Relever la caractéristique I = f(V) d’une diode à jonction dans le sens directe et inverse. Q8 : On demande de représenter l’évolution de la caractéristique de la diode dans le cas d’une cellule photovoltaïque (on précisera en représentant la courbe pour 3 valeurs d’éclairement). La zone intermédiaire N– assure une… a) sens direct. 2) Etude d’une diode de redressement 1.1) Etude Théorique La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue d’ailleurs le plus simple élément. Une diode à semi-conducteur est, électroniquement parlant, une JONCTION PN. caractéristique courant tension. La fonction Ic = f(Ib) caractérise " l'effet transistor " en régime linéaire. Minouprof / 21 janvier 2017. Une diode a la propriété de laisser passer le courant dans un sens (diode passante) et de l'arrêter dans l'autre sens (diode bloquée). Description. Les cellules photovoltaïques sont fabriquées à partir d’une jonction PN au silicium (Diode). Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). download Plainte . Fig. La jonction p-n Une jonction p-n correspond à la juxtaposition de deux matériaux identiques ou non de type p et de type n Type n Type p V Une jonction p-n est une diode 4 II.18 Image d’une cellule Gräetzel 38 II.19 Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale à jonction PN 38 II.20 Caractéristiques I(V ) à l'obscurité et sous éclairement d'une cellule photovoltaïque 40 II.21 Caractéristiques I(V ) et P(V ) d 'une cellule solaire 42 II.22 Caractéristique courant tension de … La face exposée au rayonnement solaire est la zone dopée N. Un revêtement spécifique est appliqué sur la face supérieure pour améliorer le rendement. En mettant en contact ces deux plaques polarisées, on obtient une jonction PN (Positive-négative). Le cours abordera plus particulièrement l’ensemble des notions permettant d’expliquer la caractéristique électrique d’une jonction PN. En mettant en contact ces deux plaques polarisées, on obtient une jonction PN (Positive-négative). Boukhalfa Malika Examinateur : Mr. Bouaarfa Examinateur : Mr. Garadi Année Universitaire: 2015-2016. Pour les besoins de l’étude des semi-conducteurs et de la jonction PN, on va se suffire du modèle représenté par la figure 2. Vbe est en module trop grande, il y a claquage de la jonction émetteur-base. Modèles statiques de la diode à jonction PN. La diode joue alors le rôle d'un interrupteur parfait , unidirectionnel en courant et en tension . Ce claquage est réversible ou irréversible selon le type de transistor utilisé. Courbe tension-courant d'une diode Zener : Vous pouvez remarquer, sur cette courbe, que la diode Zener, tout comme la diode standard en courant direct, est limitée en courant inverse. de 0 à A la diode est polarisée dans le sens direct, mais la tension est tropfaible pour débloquer la jonction.C’est la zone de blocage direct. mentaux d’une telle étude sont d’une part l’état de la population d’électrons à l’équilibre ther-modynamique (qui dépend fortement de la structure des niveaux d’énergie), et d’autre part l’évolution de cette population lorsqu’intervient une perturbation. L’électronique, on po… Figure 2.2 : Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque 24 . Circuit électrique d’une jonction PN idéale sous illumination (a) connecté à une résistance de charge et (b) son circuit équivalent . - Déterminer la résistance statique et dynamique. 5.2 – La diode à jonction PN (idéale) Il existe plusieurs types de diodes. Équilibre sans générateur . Constitution de la diode à jonction PN Une diode est formée d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le contact relié à la zone P est appelé anode et celui relié à la zone N cathode. La deuxième partie aborde la physique de la jonction PN. Simulation numérique des caractéristiques électriques d'une cellule solaire à double jonctionen (AlGaAs/GaAs) ... Représentation d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique 20 . On a crée une jonction PN, qui est la limite de séparation entre les deux parties. Jonction PN Jonction P N Jeu de transistors divers : du transistor de commutation au transistor de puissance. En sens inverse, si la d.d.p. Suivant l’étude que l’on veut mener, on prendra l’une ou l’autre de ces caractéristiques. 1 Rappels sur la physique des composants Introduction Nous allons ici reprendre les notions fondamentales de physique du semiconducteur. Ecrêtage d’une tension ; Alimentation continue de petite puissance. La diode en régime dynamique – Linéarisation pour les petits signaux. La première ne résistant pas à plus de 75°, la seconde à 200° environ, détrône ainsi le germanium plus … Caractéristique de transfert. Constitution de la diode à jonction PN Une diode est formée d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le contact relié à la zone P est appelé anode et celui relié à la zone N cathode. Une jonction est la limite de séparation entre un semiconducteur de type N et un semiconducteur de type P. 2.2. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). En l'absence de tension (champ) extérieur- diode à l'équilibre Les électrons libres du coté N proches de la jonction se recombinent avec les trous du coté P jusqu'à création au niveau de la jonction d'une zone neutre, appelée zone de charge d'espace Fig. Question : On donne Ve = +5V, Rp = 1KΩ et VSeuil = 0,6 V. Déterminer la valeur du courant Id. Les schémas suivants montrent le principe d’une … Jonction PN Fabien PASCAL . fig. E' 20 -- Par une étude complète (non effectuée ici), on peut montrer que la caractéristique théorique courant--tension de la jonction est donnée par i=n{m;--z>--l avec les orientations de la figure 4, et où : > e est la charge élémentaire; > kg est la constante de Boltzmann; > T est la température; > I_? Chachou Imane Mlle. L’étude développée dans le présent chapitre s’articule autour des axes suivants : • A partir des mesures expérimentales, une caractérisation des principaux paramètres de la jonction pn d’une diode transil commerciale (BZW06P37, ST Microelectronics) est menée. Le fait de créer une telle jonction, fait apparaitre un champ électrique interne. Commentaires . Reprenant le principe de la jonction PN de la diode « signal », celle-ci utilise une jonction PIN (I comme Intrinsèque) constituée d’un empilement P+/N–/N+ . 2- Caractéristiques électriques d'un transistor NPN ... (Ib) est celle d'une jonction PN entre la base et l'émetteur. La diode à jonction PN. La caractéristique I (V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode . La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. Et comme nous savons que l’équation d’une diode à jonction PN (l’équation liant le courant I D et la tension V D) est non linéaire, son étude peut sembler complexe voir même compliqué. Ceci constitue une barrière de … L'expression du courant est donc semblable à celui d'une diode à jonction PN : J d = J s.[ exp(V d / U T) - 1]. Le quadrant 1 de cette figure représente la caractéristique de sortie : I C = fonction de V CE pour différentes valeurs de … Une jonction PN est crée par juxtaposition dans un même matériau semi conducteur, de deux zones ; l’une de type P (majoritaire en trous) et l’autre de type N (majoritaire en électrons). En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe. Nous avons fabriqué une diode à jonction. Dans le premier chapitre, on va présenter des généralités sur les cellules photovoltaïques, le principe de fonctionnement, les caractéristiques électriques d'une cellule et LES DIODES Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC. Dans cette étude une simulation du transfert radiatif a été développée, ce qui nous a permis d’étudier la transmission du rayonnement à travers les couches qui précédent la cellule PV suivant certains paramètres pouvant l’altérer. l’étude élémentaire de la diode à vide dans le modèle cartésien qui aboutit à la loi de Child-Langmuir. Une étude approximative semble montrer que la diode se comporte comme un fil de résistance négligeable quand elle est passante et comme un interrupteur ouvert quand elle est bloquée. La figure 14 représente une de ces caractéristiques. jonction sur le Wiktionnaire Le mot jonction est employé dans plusieurs domaines : Jonction P - N Jonction tunnel Jonctions intercellulaires Jonction communicante Les jonctions communicantes, aussi appelées jonctions gap ou macula communicans ou nexus ou jonctions lacunaires ou encore jonctions perméables, sont des Les jonctions serrées ou étanches ou … l’étude élémentaire de la diode à vide dans le modèle cartésien qui aboutit à la loi de Child-Langmuir. Une diode électroluminescente ou une cellule solaire photovoltaïque est composée d’une jonction p-n, la couche supérieure étant un matériau de type n et la couche inférieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue un traitement de surface pour déposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe d’un matériau de type p. • Redessiner le schéma étudié correspondant à l’hypothèse en faisant apparaître clairement le courant IF et la tension VF. Objectif de l’étude ..... 165 2. La caractéristique statique de la jonction est donc de la forme V d = U T.Ln(J d / J s) + R s.I d, R s étant la somme des résistances de la partie N et des connexions. • Calculer VF et IF Le domaine de longueurs d’ondes des rayonnements recevables dépend du matériau, de la forme, et de la position de la jonction. Caractéristique de … Lacaractérisationd’uncomposant!électronique!commence!toujours!par!une!étude!statique!(oupoint! Dédicaces Personne ne peut prétendre avoir acquis les connaissances qui lui ont permis d’arriver au plus haut niveau d’étude, sans le soutien incontestable de sa famille, de tous ceux qui lui ont, de prés ou de loin, prêté un instant d’attention. EXERCICES D’APPLICATION Remarque : Pour les exercices ci-après, on considèrera que les diodes sont parfaites. en anglais) ( La DEL est un dipôle jonction PN (diode ), qui lorsqu’elle est polarisée en direct, émet une lumière de couleur précise ( rouge, vert, jaune, … ). Ce type de transistor à jonction prend aussi l'appellation de : transistor bipolaire. II.2. LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. En sens inverse, si la d.d.p. • Diode à l’état : Bloqué. Article de bases documentaires | 10 mai 2008 | Réf : D3935; Conversion photovoltaïque : du rayonnement solaire à la cellule. de A à B la diode commence à se débloquer, C’est la zone de coude. Pour chaque valeur de Ib on obtient une caractéristique. Symbole électrique de la diode : Photo d’une diode type 1N4007 : L’objectif de ce TP est de réaliser par différentes méthodes caractéristique I(V) d’une diode La caractérisation d’un composant électronique commence toujours par une étude statique (ou point de fonctionnement). Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région Les contemporains de cette époque imaginaient-ils l’éventail d’application dérivées de l’électronique que l’on connait aujourd’hui ? La diode peut ainsi commuter de l’état passant à l’état bloquée. Plusieurs modèles de représentation d’un atome ont été établis. Le fait de créer une telle jonction, fait apparaitre un champ électrique interne. La deuxième partie aborde la physique de la jonction PN. 7. II.1. MajecSTIC 2005: Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.122-126.