Les caractéristiques courant-tension directe et inverse d'une jonction pn sur une échelle semi-logarithmique ont été expliquées ci-dessus. Chapitre III. Un élément chimique bien défini est constitué d’un seul atome. Jonction PN sous polarisation • Polarisation Inverse • Augmentation du champ interne par E externe dans le même sens • Injection d’électrons de P vers N et Injection de trous de N vers P , donc des majoritaires • Faible courant car « réservoir » presque vide 13 F cond e‐ F cond h+ Comme la jonction PN grillecanal est polarisée en inverse, le courant qui va la traverser sera très faible et - sera même fréquemment négligé. En examinant en détail la relation courant-tension d’une jonction PN polarisée, on constate que le courant obéit à la tension appliquée selon la loi exponentielle suivante : D). permet le passage d'un courant quand celui-ci parcourt le semi-conducteur dans le sens du cristal dopé P vers celui dopé N. Elle s'oppose à la circulation d'un courant dans le sens inverse. Dans des conditions idéales, cette jonction PN se comporte comme un court-circuit lorsqu'elle est polarisée en direct et comme un circuit ouvert lorsqu'elle est polarisée en inverse. jonctions B/E et C/B ainsi polarisées. Sur l'explication des livres sur zone dépletion pour jonction PN polarisée en inverse. En effet, la jonction Grille-Source est polarisée en inverse : elle est donc parcourue par un courant inverse très faible et négligeable en première approximation 11 11 ce faible courant est quand même responsable d’une consommation électrique des circuits à 37 3. la capacité CGS correspond à la capacité de transition de la jonction PN. Nous observons une ligne droite sur un tracé semi-log pour la diode polarisée en direct idéale, correspondant à la relation exponentielle du courant sur la tension. les effets de la diffusion et du champ se compensent exactement, le courant est nul. S) sera égal au courant de drain (I. Vext . Pourquoi une diode à jonction pn ne conduit qu’en mode polarisation directe et non lorsqu’elle est polarisée en inverse? La jonction conduit. Elles sont Condition polarisée en avant et condition polarisée en inverse . Polarisation inverse - Une jonction PN est polarisée de telle manière que l'application d'une action de tension externe empêche porteuses de courant d'entrer dans la région d'appauvrissement. Comme dans le schéma de la Figure 1, la jonction NP est polarisée en inverse. La principale différence entre la jonction PN et la diode Zener est que la diode de jonction PN permet au courant de ne passer que dans le sens direct, tandis que la diode Zener permet au courant de circuler à la fois dans le sens direct et inversé. Biais avant. Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l’on va polariser en direct. reverse-biased junction vok. Il a donc la capacité de refluer jusqu'à ce que le flux le désactive. Dans ce cas, le courant de source (I. Sous polarisation directe, cependant, des électrons et des trous sont injectés à travers la région de charge d'espace; pendant ce temps, certains frais de transporteur supplémentaires peuvent être à la région de charge d'espace. LES DIODES Le nom diode est dérivé de «diode» qui signifie un dispositif à deux électrodes. Symbole de diode. Valentin Gies SE 1 - IUT GEII - Université de Toulon. PARTIE : LA JONCTION PN 1) Jonction PN polarisée en inverse : capacité de transition C. T. Considérons en figure 1, une jonction PN au silicium de section S, polarisée en inverse par une tension V. inv. polarise la jonction (un champ V extérieur est appliqué) Polarisation (directe: V>0, inverse V<0) n n = n p exp(q(V bi-V)/kT) avec n n et n p les densités aux limites de zones de charge d’espace Nous avons alors n n n n0 =n p0exp(qV bi/kT) = n p exp(q(V bi-V)/kT) soit n p n p0 exp(qV/kT) (en éliminant V bi) ou encore n p- n p0 = n p0(exp(qV/kT)-1) du côté p en x=-x p borne négative de la zone de p et avec la borne positive vers L’emploi d’une jonction PN comme injection de porteurs minoritaires dans une zone de quelques micromètres au delà de la jonction est à la base du fonctionnement des transistors. Une jonction PN est polarisée en inverse si la région P est négative par rapport à la région N. Ainsi, un transistor NPN sera bloqué si : Vbe<0 et Vcb>0. Reverse Biasing - Une jonction PN est polarisée de telle manière que l'application d'une action de tension externe empêche les porteurs de courant d'entrer dans la région d'appauvrissement. Cela nous permet de situer les matériaux semi- Quelle figure correspond à une jonction non polarisée ? Il fonctionne en mode polarisé en inverse et convertit l'énergie lumineuse en énergie électrique.. La figure ci-dessous montre la représentation symbolique d'une photodiode: Branchons maintenant le pôle positif de la batterie au semi-conducteur N. On observe un très faible courant \(i\). s'ajoute au champ interne de la jonction : la … Lorsque l'extrémité de la région P est portée à un potentiel supérieur à celui de l'extrémité de la région N, on dit que la jonction P-N est polarisée en directe. Le courant total dans le circuit vaut : Soit : 12- La jonction PN polarisée en inverse La DDp extérieure Vinv s’ajoute à la barrière de potentiel Vo, la zone de déplétion augmente. Dans cette situation le champ externe créé par le générateur s'oppose au champ interne. Dans ces conditions, la caractéristique de la diode idéale est représentée à la figure 1.3. Biais avant. III-4). 2.1. Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2 6 Fig. Maintenant, dans une jonction pn polarisée en inverse, la largeur de la région d’appauvrissement augmente à mesure que vous augmentez la tension de polarisation inverse appliquée à travers la diode (proportionnelle à la racine carrée de la tension).
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